Appel 8
R&D
Le projet HIPAC vise à développer de nouvelles technologies d’encapsulation haute température de composants électroniques de puissance : soudage ou frittage des puces ou des substrats et gels silicones de protection des puces.
Ces composants seront basés sur les nouveaux dispositifs semiconducteurs à large bande que sont le Carbure de Silicium (SiC) et le Nitrure de Gallium (GaN), qui permettent un fonctionnement à des températures extrêmes et des pertes de commutation réduites.
Ces dispositifs permettent d’augmenter l’efficacité énergétique des systèmes de conversion de puissance et de réduire le poids des convertisseurs embarqués dans l’aéronautique (avion plus électrique), l’automobile (véhicules électriques et hybrides) ou le ferroviaire (onduleur de traction ou convertisseurs auxiliaires).
